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2所承擔的碳化硅mini線項目成功研制出第一片SiC芯片
來源：新聞中心
發布時間：2022年03月24日 編輯：新聞中心
近日，2所承擔的碳化硅mini線項目成功研制出第一片6英寸SiC芯片。為按時完成下一步節點目標，碳化硅應用事業部項目團隊在精確分析芯片測試數據后，對芯片設計及工藝進行調整優化，并開展新一輪流片工作。各工藝段人員輪流堅守崗位，確保五月底產出合格芯片。
（來源：2所 馮旭）
