厚度0.5毫米，直徑4英寸或6英寸，大小和一張CD光盤差不多，這樣一片薄薄的碳化硅晶片，是新一代移動通信、新能源汽車、能源互聯網等產業自主創新和轉型升級的核心材料。這張“薄片”正從中國電科（山西）碳化硅材料產業基地生產出來。

　　黨的十八大以來，習近平總書記三次到山西考察調研，要求“在轉型發展上率先蹚出一條新路來”“在新基建、新技術、新材料、新裝備、新產品、新業態上不斷取得突破”。

　　中國電科加強同山西地方政府對接，把山西作為產業戰略布局重點，聚焦第三代半導體材料和核心裝備持續深耕，加快突破先進硅材料和化合物半導體材料原創技術，著力打造國內領先的半導體材料產業基地，助力山西第三代半導體產業加快集群成鏈。

　　一片碳化硅，打開百億大市場。中國電科黨組書記、董事長陳肇雄指出，要加強第三代半導體從材料、裝備、工藝到元器件全鏈條產業化能力，打造產業集群。

　　“碳化硅晶錠生長條件苛刻，需要高溫和高壓生長環境?！奔夹g專家表示，要想生產出高質量的碳化硅晶片，必須有自主創新的碳化硅生長裝備。聚焦“大尺寸化、快速生產化、高良率化、全自動化、低能耗化”趨勢，中國電科2所攻關形成第三代半導體核心裝備研發、產業化和整線解決方案，基于自主研發的全自動碳化硅單晶生長設備，實現了高質量碳化硅單晶生長。

　　“現在，咱們使用的全套設備，都是自己研發、自己生產，相關配套產品和功能元器件能滿足長期、穩定、可靠使用要求，同時節能效果好?！奔夹g專家笑著說，產業化規模效應，降低了碳化硅晶片的成本，也不斷促使碳化硅襯底質量提升。

　　走進山西轉型綜改示范區的中國電科（山西）碳化硅材料產業基地展廳，碳化硅粉料、單晶錠、晶片一字排開，閃爍著特有光澤?！耙粔K直徑4英寸的晶片可以生產1000個芯片，一塊6英寸的晶片可以生產3000個芯片，直徑越大的晶片更有優勢?！奔夹g專家表示。

　　近年來，電科材料技術團隊掌握了碳化硅生長裝備制造、高純碳化硅粉料制備工藝，N型碳化硅單晶襯底和高純半絕緣碳化硅單晶襯底的制備工藝，解決了“切、磨、拋”等關鍵技術工藝“卡脖子”問題，形成了碳化硅粉料制備、單晶生長、晶片加工等整套生產線，有力支撐山西省第三代半導體產業鏈加快起勢騰飛。